FDB8880, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм

Код товара: 146108

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDB8880
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.6 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

11A

Сопротивление открытого канала

11.6 мОм

Мощность макс.

55Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2.5В

Заряд затвора

29нКл

Входная емкость

1240пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

1.2 г.

Описание FDB8880

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDB8880 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 410
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.