FDD6635, Транзистор полевой N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Field-effect transistor, N-channel, 35V 59A 0.010 Ohm
Транзистор полевой N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Транзистор полевой N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDD6635
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.66 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDD6635
Корпус TO252
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 35 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 59 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.01 ом при 15a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 55 |
| Крутизна характеристики, S | 53 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара