8 800 1000 321 - контакт центр

FDD6635, Полевой транзистор, N-канальный, 35В 59А 0.010 Ом

  • FDD6635

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

Field-effect transistor, N-channel, 35V 59A 0.010 Ohm

Полевой транзистор, N-канальный, 35В 59А 0.010 Ом

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 148388
Дата обновления: 22.02.2019 17:30
Цена за 1шт: 36.62 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 323 шт: 24.490 руб.
от 162 шт: 26.140 руб.
от 81 шт: 28.570 руб.
от 41 шт: 32.590 руб.
от 1 шт: 36.620 руб.
1 096 штНа складе1 шт.9 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 12 шт: 39.176 руб.
40 шт.7 раб. дн.1 шт.12 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
D-Pak(DPAK/TO252)
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Вес нетто
0.66 г
Напряжение исток-сток макс.
35V
Ток стока макс.
15A (Ta), 59A (Tc)
Сопротивление открытого канала
10 mOhm @ 15A, 10V
Мощность макс.
1.6W
Тип транзистора
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.
3V @ 250 µA
Заряд затвора
36nC @ 10V
Входная емкость
1400pF @ 20V
Тип монтажа
Surface Mount

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
91 шт.
Интернет-магазин
1136 шт.

C этим товаром покупают:

Транзисторы
IRF640NPBF
Цена от
19.28 руб.
Транзисторы
IRF4905SPBF
Цена от
59.83 руб.
Резисторы
RC1206FR-07390RL
Цена от
0.15 руб.
Транзисторы
IRF730PBF
Цена от
25.22 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке