Одиночные MOSFET транзисторы

₂₄

Заряд затвора: 36нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1895)
Surface Mount (3490)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

Акция

IRLZ44ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

51A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

107 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 86,10₽

IRF6775MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MZ

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

56 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1411пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

6 610 шт

Цена от:

от 124,50₽

STD80N4F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

34 768 шт

Цена от:

от 62,10₽

CSD17312Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

1.5 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

5240пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18533Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

5.9 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 44А 28 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDD6635 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

35В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 6.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6375 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2694пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF7N65C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1245пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

935 шт

Цена от:

от 24,42₽

FQPF8N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1255пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF8N60CFT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.26A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.26A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1255пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740ALPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF740ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8113TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17.2A

Сопротивление открытого канала:

5.6 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 307 шт

Цена от:

от 2,28₽

SI2365EDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-236

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.9A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

36нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2369DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-236

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.5123 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"