Одиночные MOSFET транзисторы

50
Заряд затвора: 45нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (50)
IRF630 IRF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
529 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,34
Акция
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
4090пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
128 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 45,18
Акция
IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 24A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
711 шт

Внешние склады:
9 171 шт
Цена от:
от 45,30
STB23NM50N STB23NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 000 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 213,60
STD16N65M5 STD16N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 0.299 Ом, 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 145 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 171,36
Акция
STF16N65M5 STF16N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 0.299 Ом, 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
159 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 317,10
STP16N65M5 STP16N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 196 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 332,40
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 000 шт
Цена от:
от 33,72
Акция
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR3504ZTRL AUIRFR3504ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 77A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCA22N60N FCA22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FCD380N60E FCD380N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 106Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCH22N60N FCH22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Новинка
FCP22N60N FCP22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF22N60NT FCPF22N60NT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA16N50_F109 FDA16N50_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16.5A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF16N50 FDPF16N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
38.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS2734 FDS2734 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS8817NZ FDS8817NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"