IRF7351TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А
Цена от:
40,62 руб.
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 126+ 251+ 502+ 1004+51,89 ₽ 47,80 ₽ 44,63 ₽ 42,50 ₽ 40,62 ₽Срок:В наличииНаличие:363Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
107+ 214+ 427+ 5400+50,54 ₽ 49,70 ₽ 46,75 ₽ 45,91 ₽Срок:7 днейНаличие:5 400Минимум:Мин: 107Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRF7351TRPBF
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0178 ом при 8a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | so8 |
| Вес, г | 0.15 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRF7351TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 261 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 668 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 341 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара