IRF7351TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7351TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.14 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7351TRPBF
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0178 ом при 8a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | so8 |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7351PBF MOSFET 60V Dual N-Channel HEXFET, 2WINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара