IRF7351TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А
Код товара: 203789
Дата обновления: 22.09.2021 10:10
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IRF7351TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    SOIC8
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    4000 шт.
  • Вес брутто
    0.14 г.
  • Тип транзистора
  • Максимальное напряжение сток-исток
  • Маскимальный ток стока
  • Максимальная рассеиваемая мощность

Описание IRF7351TRPBF

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 8 А

Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0178 ом при 8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Крутизна характеристики, S18
Корпусso8
Вес, г0.15

Аналоги