AUIRLR014N, Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 10 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 10 А
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 10 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
AUIRLR014N
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка75 шт.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание AUIRLR014N
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | n-канал |
| Корпус | dpak |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.14 ом при 6a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 |
| Особенности | Автомобильные Приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…3 |
| Вес, г | 0.4 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара