Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (23)

Акция

IPP80R1K4P7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

218 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 49,35₽

SPP03N60S5 Транзистор полевой N-канальный 600В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

76 шт

Под заказ:

14 000 шт

Цена от:

от 58,82₽

Акция

IPU80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 10.05нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

70 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

150 шт

Цена от:

от 36,27₽

NX3008NBKW,115 Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 260мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.68нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

8 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 5,54₽

FDPF5N50T Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA9N90C_F109 Транзистор полевой N-канальный 900В 9А 280Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB5N50CTM Транзистор полевой N-канальный 500В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 73Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 625пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4N20TM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP9N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF7N65C Транзистор полевой N-канальный 650В 7А 52Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1245пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

305 шт

Цена от:

от 30,64₽

FQPF9N90CT Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPS80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 10нКл Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPU80R4K5P7AKMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF830APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 5А 74Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF830ASPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 5A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF830ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 5A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RSC002P03T316 Транзистор полевой P-канальный -30В -0.25A SOT-23 Производитель: ROHM Корпус: SST3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N50C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"