F3L200R07PE4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт

Name: F3L200R07PE4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт
Brand: Infineon Technologies
SKU: 196853
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 680000mW 20-Pin Tray

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт

Код товара: 196853

Дата обновления: 21.09.2021 10:25

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка F3L200R07PE4BOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Нормоупаковка

6 шт.
Макс. напр. коллектор-эмиттер

650V
Макс. ток коллектора

200A
Макс. рассеиваемая мощность

680W

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← AUIRGS4062D1 FGA15N120ANTDTU_F109 →