FDA24N50, Транзистор полевой N-канальный 500В 24A

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN

Транзистор полевой N-канальный 500В 24A

FDA24N50 pdf, 1,5 мБ

Код товара: 197155

Дата обновления: 26.04.2024 00:10

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FDA24N50 , Транзистор полевой N-канальный 500В 24A в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-3P(N)
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

30 шт
Вес брутто

7.25 г.
Напряжение исток-сток макс.

500В
Ток стока макс.

24A
Сопротивление открытого канала

190 мОм
Мощность макс.

270Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

5В
Заряд затвора

85нКл
Входная емкость

4150пФ
Тип монтажа

Through Hole

Описание FDA24N50

The FDA24N50 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

• 65nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	24 A
Тип корпуса	TO-3PN
Максимальное рассеяние мощности	270 W
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	5мм
Высота	20.1мм
Размеры	15.8 x 5 x 20.1мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	15.8мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	47 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	164 нс
Серия	UniFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Максимальное сопротивление сток-исток	190 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	500 V
Число контактов	2
Категория	Высокое напряжение
Типичный заряд затвора при Vgs	65 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	3120 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
Вес, г	6.5

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← FCPF400N80Z FDA50N50 →