Одиночные MOSFET транзисторы

45
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (45)
-6%
FCP20N60 FCP20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
392 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 267,06
-6%
FCPF20N60 FCPF20N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 39Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
119 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 310,32
-6%
FDA24N40F FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
75 шт

Внешние склады:
1 660 шт
Цена от:
от 252,06
-6%
FDA24N50 FDA24N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
4150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
96 шт

Внешние склады:
58 шт
Цена от:
от 317,28
SPA20N60C3XKSA1 SPA20N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 34Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
34.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
67 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 185,94
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
628 шт

Внешние склады:
515 шт
Цена от:
от 149,10
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
91 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 503,58
SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
628 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 134,40
SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
111 шт

Внешние склады:
73 шт
Цена от:
от 461,58
STF21N65M5 STF21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
132 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 124,26
STP21N65M5 STP21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 087 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 74,52
STP24NM60N STP24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 120Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
490 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 181,08
TK20J60U TK20J60U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 190Вт (рекомендуемая замена: TK16J60W, TK16N60W)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
64 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 164,82
FQP17P10 FQP17P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 16.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16.5A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 369,96
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20.2A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
34Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
13 576 шт
Цена от:
от 120,36
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 93,48
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
57 505 шт
Цена от:
от 4,50
-8% Акция
SPP20N65C3XKSA1 SPP20N65C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3-1
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
32 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 486,24
STF20N65M5 STF20N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1345пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 269,16
STF24N60M2 STF24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 247,62
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.48504 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"