FDC655BN, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3A
Цена от:
11,88 руб.
Внешние склады
-
16+ 70+84,03 ₽ 81,45 ₽Срок:7 днейНаличие:70Минимум:Мин: 16Количество в заказ
-
605+ 878+ 1763+ 8777+14,50 ₽ 12,50 ₽ 12,19 ₽ 11,88 ₽Срок:25 днейНаличие:9 000Минимум:Мин: 605Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FDC655BN
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.3 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Width | 1.7mm |
| Height | 1mm |
| Dimensions | 3 x 1.7 x 1mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Brand | ON Semiconductor |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Series | PowerTrench |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Pin Count | 6 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 5 V, 9 nC @ 10 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 470 pF @ 15 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.08 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDC655BN , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 211 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара