Одиночные MOSFET транзисторы

31
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (31)
IRFI4227PBF IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
156 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 226,92
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 330Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 328 шт

Внешние склады:
4 851 шт
Цена от:
от 127,32
-7%
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
707 шт

Внешние склады:
2 258 шт
Аналоги:
160 шт
Цена от:
от 87,78
-8% Акция
STT6N3LLH6 STT6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.6нКл
Входная емкость:
283пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
777 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 26,52
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
780мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
9.6нКл
Входная емкость:
829.9пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 4,86
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
780мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
9.6нКл
Входная емкость:
829.9пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 7,98
DMG6968U-7 DMG6968U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
810мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
151пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 5,04
FDC655BN FDC655BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 070 шт
Цена от:
от 13,74
FDMS86250 FDMS86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 6.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 133,74
HUF75639G3 HUF75639G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 315,90
IRFP3710PBF IRFP3710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 51А 180Вт, 0.028 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
71 шт
Цена от:
от 131,70
NTGS4141NT1G NTGS4141NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 15,96
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 346 шт
Цена от:
от 74,28
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
160 шт
Аналоги:
2 965 шт
Цена от:
от 149,16
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 000 шт
Цена от:
от 111,66
DMP4025LK3-13 DMP4025LK3-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.7A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
33.7нКл
Входная емкость:
1640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1305пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75639P3 HUF75639P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7807APBF IRF7807APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"