FDC655BN, Транзистор полевой N-канальный 30В 6.3A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
Транзистор полевой N-канальный 30В 6.3A
Транзистор полевой N-канальный 30В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDC655BN
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSSOT6
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDC655BN
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.3 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Width | 1.7mm |
| Height | 1mm |
| Dimensions | 3 x 1.7 x 1mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Brand | ON Semiconductor |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Series | PowerTrench |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Pin Count | 6 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5 nC @ 5 V, 9 nC @ 10 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 470 pF @ 15 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.08 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара