FDD3860, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.2 А
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.2 А
Документация
Код товара: 197268
Дата обновления: 13.12.2018 21:30
| Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||||
| Нет в наличии | ||||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||
| Внешние склады | ||||||||||
| 2 500 шт. | 10 раб. дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
| 37 500 шт. | 15 раб. дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
| 2 500 шт. | 28 раб. дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
DPAK/TO252Нормоупаковка
2500 шт.Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)Напряжение исток-сток макс.
100 ВТок стока макс.
6.2 АСопротивление открытого канала
36 мОмМощность макс.
3.1 ВтТип транзистора
MOSFET N-канальный, металл-оксидОсобенности
СтандартныйПороговое напряжение включения макс.
4.5 ВЗаряд затвора
31 нКлВходная емкость
1740 пФТип монтажа
ПоверхностныйНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
0 шт.Интернет-магазин
42500 шт.Поделиться:
