Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (100)
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 219 шт

Внешние склады:
2 245 шт
Цена от:
от 59,76
Акция
IRF7822TRPBF IRF7822TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
920 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,94
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
410 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,42
YJS05N06A YJS05N06A Транзистор полевой MOSFET 2N-канальный 60В 5A 3.1Вт
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
5 330 шт

Внешние склады:
2 960 шт
Цена от:
от 9,06
AO4403 AO4403 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A 8SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
46 мОм @ 6.1А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В @ 250 µA
Заряд затвора:
11.3нКл @ 4.5В
Входная емкость:
1128пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4407A AO4407A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
16 793 шт
Цена от:
от 8,99
AO4411 AO4411 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8А 2Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4423 AO4423 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 17А 2Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.6В
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
3033пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4425 AO4425 Полевой транзистор P-канальный 38В 14A 8-Pin SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
38В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4435 AO4435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10.5А 2Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
25 376 шт
Цена от:
от 5,88
AO4447A AO4447A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 17A 8-SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 17А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.6В @ 250 µA
Заряд затвора:
105нКл @ 10В
Входная емкость:
5500пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4459 AO4459 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.5A 8SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
46 мОм @ 6.5А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
830пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4468 AO4468 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6А
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4498 AO4498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
44.5нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7296 AON7296 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A 8DFN
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5A(Ta),12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
66 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 250 µA
Заряд затвора:
12нКл @ 10В
Входная емкость:
415пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7410 AON7410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A 8DFN
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A(Ta),24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
12нКл @ 10В
Входная емкость:
660пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7422E AON7422E Полевой транзистор N-канальный 30В 40A 8-Pin DFN-A EP
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A(Ta),40A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
50нКл @ 10В
Входная емкость:
2940пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16322Q5 CSD16322Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
9.7нКл
Входная емкость:
1365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16401Q5 CSD16401Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 100 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
4100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16403Q5A CSD16403Q5A Транзистор полевой N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8EP
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"