FDP51N25, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 51A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDP51N25
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
320Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
100,98 руб.
Внешние склады
-
4+ 13+ 26+ 200+440,34 ₽ 419,40 ₽ 412,38 ₽ 387,90 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 4Количество в заказ
-
4+437,46 ₽Срок:7 днейНаличие:10Минимум:Мин: 4Количество в заказ
-
69+ 101+ 202+ 1008+123,30 ₽ 106,32 ₽ 103,62 ₽ 100,98 ₽Срок:25 днейНаличие:1 086Минимум:Мин: 69Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FDP51N25
The FDP51N25 is an UniFET™ N-channel High Voltage MOSFET produced based on Fairchild Semiconductor's planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
• 55nC Typical low gate charge
• 63pF Typical low Crss
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 51 А |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 320 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.83мм |
| Высота | 9.4мм |
| Размеры | 10.67 x 4.83 x 9.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 62 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 98 ns |
| Серия | UniFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 60 МОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 250 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2620 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FDP51N25 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 51A
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара