FDP52N20, транзистор полевой n-канальный 200в 52а 357вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 200V 52A TO-220

Транзистор полевой N-канальный 200В 52А 357Вт

FDP52N20 pdf, 1,8 мБ

Код товара: 197634

Дата обновления: 10.05.2024 16:10

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FDP52N20 , Транзистор полевой N-канальный 200В 52А 357Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-220
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

50 шт
Вес брутто

2.84 г.
Напряжение исток-сток макс.

200В
Ток стока макс.

52A
Сопротивление открытого канала

49 мОм
Мощность макс.

357Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

5В
Заряд затвора

63нКл
Входная емкость

2900пФ
Тип монтажа

Through Hole

Описание FDP52N20

The FDP52N20 is an N-channel MOSFET produced from Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Вес, г

2.5

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← FDP51N25 FDP55N06 →