FDP52N20, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт

Код товара: 197634

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDP52N20
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

52A

Сопротивление открытого канала

49 мОм

Мощность макс.

357Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

63нКл

Входная емкость

2900пФ

Тип монтажа

Through Hole

Вес брутто

2.84 г.

Описание FDP52N20

The FDP52N20 is an N-channel MOSFET produced from Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Вес, г2.5

Документы и сертификаты

Документация

Способы доставки в Калининград

Доставка FDP52N20 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.