FDP52N20, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт

Код товара: 197634

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDP52N20
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

52A

Сопротивление открытого канала

49 мОм

Мощность макс.

357Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

63нКл

Входная емкость

2900пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-220

Вес брутто

2.84 г.

Описание FDP52N20

The FDP52N20 is an N-channel MOSFET produced from Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Вес, г2.5

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDP52N20 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 139
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.