FDPF4N60NZ, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A
Цена от:
251,53 руб.
Внешние склады
-
6+ 22+264,11 ₽ 251,53 ₽Срок:7 днейНаличие:30Минимум:Мин: 6Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FDPF4N60NZ
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 ом при 1.9a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Крутизна характеристики, S | 3.3 |
| Корпус | to220fp |
| Вес, г | 2 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDPF4N60NZ , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.8A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара