FDS5670, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Код товара: 197701

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDS5670
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
2500 шт
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

60В

Ток стока макс.

10A

Сопротивление открытого канала

14 мОм

Мощность макс.

1Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

4В

Заряд затвора

70нКл

Входная емкость

2900пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOIC8N

Вес брутто

0.3 г.

Описание FDS5670

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Разрешительная документация

Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDS5670 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2248 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.