8 800 1000 321 - контакт центр
  • FDS5670

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC

Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 10 А

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 197701
Дата обновления: 22.02.2019 23:00
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 2 500 шт: 49.493 руб.
7 500 шт.10 раб. дн.2 500 шт.2 500 шт.
от 2 500 шт: 57.723 руб.
2 500 шт.18 раб. дн.2 500 шт.2 500 шт.
от 2 500 шт: 61.395 руб.
2 500 шт.28 раб. дн.2 500 шт.2 500 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
8-SOIC(8-SOIC N)
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Напряжение исток-сток макс.
60V
Ток стока макс.
10A (Ta)
Сопротивление открытого канала
14 mOhm @ 10A, 10V
Мощность макс.
1W
Тип транзистора
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.
4V @ 250 µA
Заряд затвора
70nC @ 10V
Входная емкость
2900pF @ 15V
Тип монтажа
Surface Mount

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
12500 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке