Одиночные MOSFET транзисторы

98
Мощность макс.: 1Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
BSS192,115 BSS192,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 0.2А 1Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
12 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
90пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 930 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 527 шт
Цена от:
от 26,46
Акция
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.19А 1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-SOT89
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
0.19A
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
2 527 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Аналоги:
1 930 шт
Цена от:
от 28,20
Акция
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.09А 1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
0.09A
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
360 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 34,02
BSS87,115 BSS87,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 400мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
3 Ом @ 400mА, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 1mA
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 382 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,72
Акция
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А, 1.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 313 шт

Внешние склады:
7 824 шт
Цена от:
от 21,66
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.3нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
18 710 шт

Внешние склады:
3 100 шт
Цена от:
от 25,86
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5,1A 57,5мОм SOT-223
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
57.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 180 шт

Внешние склады:
4 896 шт
Цена от:
от 27,18
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5,2A 2,1Вт 0,045Ом SOT223
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 037 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 34,38
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
11 117 шт

Внешние склады:
17 000 шт
Цена от:
от 22,56
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 061 шт

Внешние склады:
35 636 шт
Цена от:
от 13,38
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15.6нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 355 шт

Внешние склады:
24 900 шт
Цена от:
от 22,56
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 765 шт

Внешние склады:
11 000 шт
Цена от:
от 30,66
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 866 шт

Внешние склады:
32 837 шт
Цена от:
от 20,40
Акция
IRLL3303TRPBF IRLL3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.6А SOT223 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
453 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 118,08
AO3435 AO3435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
745пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS192,135 BSS192,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 200мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89 (TO-243)
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
12 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
90пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 457 шт
Цена от:
от 26,46
CSD23202W10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.2A 4DSBGA
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
4-DSBGA (1x1)
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
53 мОм @ 500mА, 4.5В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ @ 250 µA
Заряд затвора:
3.8нКл @ 4.5В
Входная емкость:
512пФ @ 6В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS3660AS FDMS3660AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A/30A 8-Pin Power 56 EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A,30A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 13А, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS2670 FDS2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1228пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS2672 FDS2672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"