FDS6612A, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.4A

Код товара: 197710

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDS6612A
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

8.4A

Сопротивление открытого канала

22 мОм

Мощность макс.

1Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

7.6нКл

Входная емкость

560пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOIC8N

Описание FDS6612A

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.4A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDS6612A , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.4A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 140
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.