8 800 1000 321 - контакт центр

FDS6679AZ, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 13 А, 2.5 Вт

  • FDS6679AZ

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 13 A, 2.5 W

Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 13 А, 2.5 Вт

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 197718
Цена и наличие товара актуальны на:
28.01.2020 03:30
Цена за 1шт: 47.88 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника. Поставка со склада
от 300 шт: 33.680 руб.
от 100 шт: 35.680 руб.
от 62 шт: 38.450 руб.
от 31 шт: 43.150 руб.
от 1 шт: 47.880 руб.
368 штНа складе1 шт.7 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады. Поставка под заказ
от 2 500 шт: 18.973 руб.
5 000 шт.10 раб. дн.2 500 шт.2 500 шт.
от 5 000 шт: 21.655 руб.
от 2 500 шт: 22.045 руб.
20 000 шт.15 раб. дн.2 500 шт.2 500 шт.
Количество:
Стоимость:

Техническая информация

Корпус
SOIC8(SO8)
Нормоупаковка
100 шт.
Тип упаковки
Cut Tape (отрезок ленты)
Вес нетто
0.25 г
Напряжение исток-сток макс.
30V
Ток стока макс.
13A
Мощность макс.
1W
Тип транзистора
P-Channel
Особенности
Logic Level Gate

Наличие

Екатеринбург, ул. Колмогорова, 70
58 шт.
Интернет-магазин
25368 шт.

Подробное описание

Характеристики

Структураp-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм9.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S55
Корпусso8
Особенностисквозной канал
Пороговое напряжение на затворе-3

Поделиться:
сообщение об ошибке