FDS8870, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A

Код товара: 197763

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDS8870
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

18A

Сопротивление открытого канала

4.2 мОм

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2.5В

Заряд затвора

112нКл

Входная емкость

4615пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOIC8N

Описание FDS8870

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDS8870 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.