FDS8880, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDS8880
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
27,56 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 51+ 101+ 201+ 402+38,51 ₽ 34,78 ₽ 31,82 ₽ 29,39 ₽ 27,56 ₽Срок:В наличииНаличие:70Минимум:8Количество в заказ
-
1+ 51+ 101+ 201+ 402+38,51 ₽ 34,78 ₽ 31,82 ₽ 29,39 ₽ 27,56 ₽Срок:В наличииНаличие:500Минимум:8Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 51+ 101+ 201+ 402+38,51 ₽ 34,78 ₽ 31,82 ₽ 29,39 ₽ 27,56 ₽Срок:В наличииНаличие:16Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
17+ 20+77,47 ₽ 75,08 ₽Срок:7 днейНаличие:20Минимум:Мин: 17Количество в заказ
-
200+ 290+ 581+44,34 ₽ 38,24 ₽ 37,27 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 200Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FDS8880
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 11.6 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2.5 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 2мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 7 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 38 нс |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 10 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1235 пФ при 15 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FDS8880 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 335 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара