FDS8880, Транзистор полевой N-канальный 30В 11.6A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Транзистор полевой N-канальный 30В 11.6A
Транзистор полевой N-канальный 30В 11.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDS8880
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8N
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.22 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDS8880
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 11.6 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2.5 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 2мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 7 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 38 нс |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 10 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1235 пФ при 15 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара