Одиночные MOSFET транзисторы

43
Заряд затвора: 30нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (43)
Акция
FDPF10N60NZ FDPF10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1475пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
130 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 53,10
FDS8880 FDS8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
586 шт

Внешние склады:
2 520 шт
Цена от:
от 27,60
-8% Акция
FQP6N80C FQP6N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
113 шт

Внешние склады:
107 шт
Цена от:
от 197,28
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
900 шт

Внешние склады:
17 223 шт
Цена от:
от 20,10
IRFB3806PBF IRFB3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43А 71Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
15.8 мОм
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
658 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 53,34
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
15.8 мОм
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 805 шт

Внешние склады:
3 200 шт
Цена от:
от 29,04
NTD2955T4G NTD2955T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 55Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
332 шт

Внешние склады:
3 681 шт
Цена от:
от 30,54
-7%
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 367 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,56
STP13NM60N STP13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
209 шт

Внешние склады:
490 шт
Цена от:
от 78,66
FDMS7682 FDMS7682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1885пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 41,10
Акция
FQPF16N15 FQPF16N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 12А 0,16 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
6 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,78
IRF740BPBF IRF740BPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
526пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
350 шт
Цена от:
от 59,58
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19.3A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 157 шт
Цена от:
от 23,88
SI8499DB-T2-E1 SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-Micro Foot[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 028 шт
Цена от:
от 23,88
STB11NM60T4 STB11NM60T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
18 000 шт
Цена от:
от 135,48
Акция
STU6N62K3 STU6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 5.5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
875пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 147,84
FCPF7N60 FCPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDC604P FDC604P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1926пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP10N60NZ FDP10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
185Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1475пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP12N50NZ FDP12N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45012 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"