FGA50N100BNTD2, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Код товара: 197913
Дата обновления: 21.09.2021 10:25
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка FGA50N100BNTD2, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO3P
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    450 шт.
  • Вес брутто
    6.401 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
  • Импульсный ток коллектора макс.
  • Макс. рассеиваемая мощность

Описание FGA50N100BNTD2

Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт