FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Код товара: 197915

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FGA60N65SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
450 шт
Корпус:
TO-3PN
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
600 Вт
Переключаемая энергия:
1.54 мДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

650 В

Макс. ток коллектора

120 А

Импульсный ток коллектора макс.

180 А

Макс. рассеиваемая мощность

600 Вт

Переключаемая энергия

1.54 мДж

Вес брутто

5.5 г.

Описание FGA60N65SMD

IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P

Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина15.8мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора120 А
Тип корпусаTO-3PN
Максимальное рассеяние мощности600 W
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура-55 °C
Ширина5мм
Высота20.1мм
Число контактов3
Размеры15.8 x 5 x 20.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
Тип каналаN
Вес, г6.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FGA60N65SMD , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.