FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGA60N65SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
450 шт
Корпус:
TO-3PN
Цена от:
188,72 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 15+ 29+ 58+ 116+263,53 ₽ 245,82 ₽ 232,76 ₽ 222,40 ₽ 213,29 ₽Срок:В наличииНаличие:255Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
4+ 21+ 41+ 171+282,55 ₽ 269,09 ₽ 264,61 ₽ 248,91 ₽Срок:5 днейНаличие:171Минимум:Мин: 4Количество в заказ
-
3+ 10+ 19+ 39+ 800+600,67 ₽ 572,06 ₽ 562,53 ₽ 529,16 ₽ 519,63 ₽Срок:7 днейНаличие:800Минимум:Мин: 3Количество в заказ
-
3+ 10+ 20+ 39+600,00 ₽ 571,43 ₽ 561,90 ₽ 528,57 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 3Количество в заказ
-
39+ 57+ 114+224,51 ₽ 193,60 ₽ 188,72 ₽Срок:25 днейНаличие:450Минимум:Мин: 39Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FGA60N65SMD
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 15.8мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 120 А |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Максимальное рассеяние мощности | 600 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 5мм |
| Высота | 20.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FGA60N65SMD , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 353 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара