FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Код товара: 197915
Цена от:
255,48 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FGA60N65SMD
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Длина | 15.8мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | ON Semiconductor |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 120 А |
Тип корпуса | TO-3PN |
Максимальное рассеяние мощности | 600 W |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 5мм |
Высота | 20.1мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Тип канала | N |
Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FGA60N65SMD , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара