FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGA60N65SMD
Документы:
Описание FGA60N65SMD
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 15.8мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 120 А |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Максимальное рассеяние мощности | 600 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 5мм |
| Высота | 20.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 6.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара