FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Документация
Код товара: 197915
Дата обновления: 18.12.2018 20:00
| Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||||||
| Нет в наличии | ||||||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||||
| Внешние склады | ||||||||||||
| 3 150 шт. | 10 раб. дн. | 450 шт. | 450 шт. | ||||||||
| 2 250 шт. | 15 раб. дн. | 450 шт. | 450 шт. | ||||||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
TO-3PНормоупаковка
450 шт.Тип упаковки
Tube (туба)Макс. напр. коллектор-эмиттер
650 ВМакс. ток коллектора
120 АИмпульсный ток коллектора макс.
180 АНапр. насыщения К-Э макс.
2.5 ВМакс. рассеиваемая мощность
600 ВтПереключаемая энергия
1.54 мДжЗаряд затвора
189 нКлВремя задержки вкл./выкл.
18 нс/104 нсВремя обратного восстановления
47 нсНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
0 шт.Интернет-магазин
5400 шт.Поделиться:
