8 800 1000 321 - контакт центр
  • FGA60N65SMD

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

IGBT 650V 120A 600W TO3P

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 197915
Дата обновления: 18.12.2018 20:00
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 2 700 шт: 161.941 руб.
от 900 шт: 164.885 руб.
от 450 шт: 167.829 руб.
3 150 шт.10 раб. дн.450 шт.450 шт.
от 900 шт: 173.096 руб.
от 450 шт: 176.186 руб.
2 250 шт.15 раб. дн.450 шт.450 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-3P
Нормоупаковка
450 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Макс. напр. коллектор-эмиттер
650 В
Макс. ток коллектора
120 А
Импульсный ток коллектора макс.
180 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2.5 В
Макс. рассеиваемая мощность
600 Вт
Переключаемая энергия
1.54 мДж
Заряд затвора
189 нКл
Время задержки вкл./выкл.
18 нс/104 нс
Время обратного восстановления
47 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
5400 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке