FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Код товара: 197915
Дата обновления: 02.08.2021 08:10
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO3P
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    450 шт.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
  • Импульсный ток коллектора макс.
  • Макс. рассеиваемая мощность
  • Переключаемая энергия

Описание FGA60N65SMD

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P

Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина15.8мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора120 А
Тип корпусаTO-3PN
Максимальное рассеяние мощности600 W
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура-55 °C
Ширина5мм
Высота20.1мм
Число контактов3
Размеры15.8 x 5 x 20.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
Тип каналаN
Вес, г6.5