FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Цена от:
230,15 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 8+ 16+ 31+ 62+288,35 ₽ 268,43 ₽ 252,62 ₽ 239,73 ₽ 230,15 ₽Срок:В наличииНаличие:387Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 8+ 16+ 31+ 62+288,35 ₽ 268,43 ₽ 252,62 ₽ 239,73 ₽ 230,15 ₽Срок:В наличииНаличие:23Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
4+ 19+ 38+ 93+300,32 ₽ 286,02 ₽ 281,25 ₽ 264,57 ₽Срок:5 днейНаличие:93Минимум:Мин: 4Количество в заказ
-
3+ 10+ 19+ 38+ 400+600,67 ₽ 572,06 ₽ 562,53 ₽ 529,16 ₽ 519,62 ₽Срок:14 днейНаличие:400Минимум:Мин: 3Количество в заказ
-
3+ 10+ 19+ 38+605,09 ₽ 576,28 ₽ 566,68 ₽ 533,06 ₽Срок:14 днейНаличие:60Минимум:Мин: 3Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FGA60N65SMD
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 15.8мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 120 А |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Максимальное рассеяние мощности | 600 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 5мм |
| Высота | 20.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGA60N65SMD , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 236 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2098 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара