FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGA60N65SMD
Документы:
Описание FGA60N65SMD
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт
IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
Корпус TO3P
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 15.8мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 120 А |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Максимальное рассеяние мощности | 600 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 5мм |
| Высота | 20.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 6.5 |
Сообщите мне о поступлении товара
