FGH30S130P, Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
Цена от:
1 048,77 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FGH30S130P
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 15.87мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1300 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 60 А |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 4.82мм |
| Высота | 20.82мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 15.87 x 4.82 x 20.82мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±25V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FGH30S130P , Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара