FGH30S130P, Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB
Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGH30S130P
Документы:
Описание FGH30S130P
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Длина | 15.87мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | ON Semiconductor |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1300 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 60 А |
Тип корпуса | TO-247 |
Максимальное рассеяние мощности | 500 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 4.82мм |
Высота | 20.82мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 15.87 x 4.82 x 20.82мм |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±25V |
Тип канала | N |
Вес, г | 7.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара