FGH30S130P, Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
Код товара: 197928
Дата обновления: 05.08.2021 16:10
Цена от: 251,13 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка FGH30S130P, Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO-247
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    30 шт.
  • Вес брутто
    6.6 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
  • Импульсный ток коллектора макс.
  • Макс. рассеиваемая мощность

Описание FGH30S130P

Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина15.87мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1300 В
Максимальный непрерывный ток коллектора60 А
Тип корпусаTO-247
Максимальное рассеяние мощности500 Вт
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура-55 °C
Ширина4.82мм
Высота20.82мм
Число контактов3
Размеры15.87 x 4.82 x 20.82мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер±25V
Тип каналаN
Вес, г7.5