FQA13N80_F109, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 12.6 А
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 12.6 А
Документация
Код товара: 198483
Дата обновления: 15.12.2018 11:30
| Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||||||||
| Нет в наличии | ||||||||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||||||
| Внешние склады | ||||||||||||||
| 450 шт. | 10 раб. дн. | 450 шт. | 450 шт. | ||||||||||
| 9 450 шт. | 28 раб. дн. | 30 шт. | 60 шт. | ||||||||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
TO-3PНормоупаковка
450 шт.Тип упаковки
Tube (туба)Вес нетто
6.401 гНапряжение исток-сток макс.
800 ВТок стока макс.
12.6 АСопротивление открытого канала
750 мОмМощность макс.
300 ВтТип транзистора
MOSFET N-канальный, металл-оксидОсобенности
СтандартныйПороговое напряжение включения макс.
5 ВЗаряд затвора
88 нКлВходная емкость
3500 пФТип монтажа
СквознойНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
0 шт.Интернет-магазин
9900 шт.Поделиться:
