FQA11N90C_F109, Транзистор полевой N-канальный 900В 11A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
Транзистор полевой N-канальный 900В 11A
Транзистор полевой N-канальный 900В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FQA11N90C_F109
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-3P
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто5.4 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FQA11N90C_F109
N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
| Base Product Number | FQA1 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | QFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 6.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара