FQD10N20CTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A

Код товара: 198539

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQD10N20CTM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

7.8A

Сопротивление открытого канала

360 мОм

Мощность макс.

50Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

26нКл

Входная емкость

510пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-252-3

Описание FQD10N20CTM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FQD10N20CTM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 335
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2462
EMS
от 5 раб. дней
от 1574
Почта России
от 17 раб. дней
от 733
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.