FQD10N20CTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A

Код товара: 198539

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQD10N20CTM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
2500 шт
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

7.8A

Сопротивление открытого канала

360 мОм

Мощность макс.

50Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

26нКл

Входная емкость

510пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-252-3

Описание FQD10N20CTM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FQD10N20CTM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 229
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.