Одиночные MOSFET транзисторы

39
Заряд затвора: 26нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (39)
IRF530PBF IRF530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
881 шт

Внешние склады:
3 170 шт
Цена от:
от 33,80
-6% Акция
IRF7811AVTRPBF IRF7811AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1801пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 402 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 70,96
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
2315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 655 шт

Внешние склады:
6 595 шт
Аналоги:
13 895 шт
Цена от:
от 17,81
IRFU4615PBF IRFU4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A. 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak (TO-251AA)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
145 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 81,88
STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 527 шт

Внешние склады:
11 450 шт
Аналоги:
17 000 шт
Цена от:
от 12,05
STP4NK60Z STP4NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
172 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 37,00
STP4NK60ZFP STP4NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 805 шт

Внешние склады:
6 270 шт
Аналоги:
984 шт
Цена от:
от 24,77
STP7NK40Z STP7NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
535пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
617 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 25,88
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSDSON
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 127,42
FDD86102LZ FDD86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
22.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 41,55
FDMC8327L FDMC8327L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
9.7 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 43,11
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 64,42
FQP10N20C FQP10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 650 шт
Цена от:
от 61,80
-6% Акция
IRF3709ZPBF IRF3709ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87А 79Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
87A
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
16 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 26,62
IRFB4615PBF IRFB4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 62,80
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15.5А 65Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 644 шт
Цена от:
от 38,14
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® ChipFet Single
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
10.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
665пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 56,84
STD4NK60Z-1 STD4NK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 500 шт
Цена от:
от 69,17
FCD600N60Z FCD600N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8878 FDMC8878 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.6A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"