Одиночные MOSFET транзисторы

₃₉

Заряд затвора: 26нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1905)
Surface Mount (3542)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (39)

Акция

IRF3709ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87А 79Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

87A

Сопротивление открытого канала:

6.3 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

2130пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

225 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 36,96₽

Акция

IRF7811AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1801пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 468 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 81,30₽

Акция

IRF8736TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

2315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

4 413 шт

Внешние склады:

21 829 шт

Аналоги:

14 007 шт

Цена от:

от 18,42₽

IRFU4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A. 144Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I-Pak (TO-251AA)

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

144Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

493 шт

Внешние склады:

7 245 шт

Цена от:

от 71,28₽

STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 536 шт

Внешние склады:

4 450 шт

Цена от:

от 24,60₽

STP4NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

503 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 48,42₽

STP4NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

8 588 шт

Внешние склады:

50 шт

Аналоги:

1 862 шт

Цена от:

от 32,94₽

STP7NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

535пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

627 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 25,50₽

BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TSDSON

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

2.6 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 71,64₽

IRFB4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

144Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

160 шт

Цена от:

от 142,26₽

FCD600N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8327L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

9.7 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8878 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-Power33 (3x3)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.6A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDPF8N60ZUT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

1.35 Ом

Мощность макс.:

34.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1265пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD10N20CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD18N20V2TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

72Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU10N20CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"