FQD10N20LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.6A

Код товара: 198540

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQD10N20LTM
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

7.6A

Сопротивление открытого канала

360 мОм

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2В

Заряд затвора

17нКл

Входная емкость

830пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Описание FQD10N20LTM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.6A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Разрешительная документация

Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FQD10N20LTM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.6A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.