FQP44N10, Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5А 146Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220

Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5А 146Вт

FQP44N10 pdf, 0,8 мБ

Код товара: 198610

Дата обновления: 20.04.2024 00:10

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FQP44N10 , Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5А 146Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-220
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

50 шт
Вес брутто

3.09 г.
Напряжение исток-сток макс.

100В
Ток стока макс.

43.5A
Сопротивление открытого канала

39 мОм
Мощность макс.

146Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

4В
Заряд затвора

62нКл
Входная емкость

1800пФ
Тип монтажа

Through Hole

Описание FQP44N10

FQP44N10 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокий уровень энергетической силы лавинного процесса. Он подходит для импульсных источников питания, усилителей звуковой мощности и устройств с переменной мощностью.

• Лавинное тестирование 100%
• Типичное значение заряда затвора 48нКл
• Типичное значение Crss 85пФ

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	43 А
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	146 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.7
Высота	9.4мм
Размеры	10.1 x 4.7 x 9.4мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.1мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	19 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	90 ns
Серия	QFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	39 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	48 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1400 pF @ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-25 В, +25 В
Вес, г	2.5

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← FQP3N80C FQP45N15V2 →