Одиночные MOSFET транзисторы

16
Заряд затвора: 62нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
-6% Акция
IRF7809AVTRPBF IRF7809AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.3A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 318 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 64,93
FDMS86150 FDMS86150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
4.85 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
4065пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 154,45
FQB44N10TM FQB44N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43.5A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 68,45
FQP44N10 FQP44N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43.5А 146Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43.5A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
146Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
27 шт
Цена от:
от 267,25
IRF7456TRPBF IRF7456TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 80,57
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 106,79
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 106,92
STD40NF10 STD40NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 50A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 74,21
FDMC8554 FDMC8554 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16.5A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7456PBF IRF7456PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
300 шт
Цена от:
от 80,57
IRF7809AVPBF IRF7809AVPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3А 2.5Вт, 0.007 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.3A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 318 шт
Цена от:
от 64,93
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
20.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB155N3H6 STB155N3H6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP36N55M5 STP36N55M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 33A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
550В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
2670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW36N55M5 STW36N55M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 33A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
550В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
2950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"