Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
IRF7413TRPBF IRF7413TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
79нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 036 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,12
IRL540NPBF IRL540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 140Вт, 0.044 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
9 069 шт

Внешние склады:
1 615 шт
Аналоги:
20 089 шт
Цена от:
от 69,48
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
72 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 102,90
STP26NM60N STP26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
182 шт

Внешние склады:
692 шт
Цена от:
от 103,44
STW26NM60N STW26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 563 шт

Внешние склады:
535 шт
Цена от:
от 105,36
Акция
STP21NM60ND STP21NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 83,22
CSD18504KCS CSD18504KCS Транзистор полевой N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDPF3860T FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
38.2 мОм
Мощность макс.:
33.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDS3580 FDS3580 Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB44N10TM FQB44N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43.5A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP44N10 FQP44N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5А 146Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43.5A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
146Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF7413PBF IRF7413PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
79нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 036 шт
Цена от:
от 33,12
Акция
IRL540NSPBF IRL540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 140Вт, 0.044 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
672 шт
Цена от:
от 102,90
IRL640PBF IRL640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRL640SPBF IRL640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL640STRRPBF IRL640STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 17A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLI540NPBF IRLI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDP6060 NDP6060 Транзистор полевой N-канальный 60В 48A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67399 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"