IHW40N135R3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 80 А, 429 Вт
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 80 А, 429 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 80 А, 429 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IHW40N135R3FKSA1
Технические параметры
-
КорпусTO-247
-
Нормоупаковка240 шт.
-
Вес брутто8.5 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара