IKP15N65F5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKP15N65F5XKSA1
Документы:
Описание IKP15N65F5XKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.36мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 30 A |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Максимальное рассеяние мощности | 105 Вт |
| Energy Rating | 0.17mJ |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 4.57мм |
| Высота | 15.95мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 10.36 x 4.57 x 15.95мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Емкость затвора | 930пФ |
| Вес, г | 2.8 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара