IRF520PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 9.2А 60Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB

Транзистор полевой N-канальный 100В 9.2А 60Вт
Код товара: 203688
Дата обновления: 26.04.2024 16:10
Доставка IRF520PBF , Транзистор полевой N-канальный 100В 9.2А 60Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-220AB
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    50 шт
  • Вес брутто
    2.78 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IRF520PBF

The IRF520PBF is a 100V N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The low thermal resistance contributes to its wide acceptance throughout the industry.

• Dynamic dv/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
• ±20V Gate to source voltage
• 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
• 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.27 ом при 5.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60
Крутизна характеристики, S2.7
Корпусto220ab
Пороговое напряжение на затворе4
Вес, г2.5