Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1904)
Surface Mount (3542)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (46)

FMV12N50E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 60Вт

Производитель:

FUJI Electric

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

12A

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Наличие:

170 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 71,64₽

Акция

IRG4BC20KDSTRLP Транзистор биполярный IGBT 600В 16A 60Вт D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

16А

Мощность макс.:

60Вт

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

347 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 37,80₽

Акция

STD20NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24А 0.032 Ом, 60Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

632 шт

Внешние склады:

590 шт

Цена от:

от 52,14₽

STD20NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

155 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 40,80₽

Акция

STP14NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

460пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

210 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 94,38₽

Акция

STP4N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 60Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

10.5нКл

Входная емкость:

175пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

247 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 137,88₽

STP9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

780 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

693 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 199,26₽

Акция

2SK3261 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 10А 60Вт

Производитель:

Sanyo Semiconductors

Корпус:

TO-3PF

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

10A

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Наличие:

34 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 97,74₽

Акция

STP7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 0,86Ом 60Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

950 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.8нКл

Входная емкость:

271пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 64,44₽

Акция

2SK3264 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 60Вт

Производитель:

Fujitsu Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

ATP114-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A ATPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ATPAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

16 мОм @ 28А, 10В

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Заряд затвора:

92нКл @ 10В

Входная емкость:

4000пФ @ 20В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP6030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP7030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

1.9 Ом

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

2080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9520PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A. 40Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9Z24PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11А 60Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4212PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

72.5 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIB5N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

930 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1417пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIB6N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"