Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRF5210STRLPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 2780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
13 640 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 97,25
Акция STP45NF06 Транзистор полевой N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
523 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 44,49
IRFB4137PBF Транзистор полевой N-канальный 300В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 5168пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
27 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 370,49
IRFP4137PBF Транзистор полевой N-канальный 300В 38А 341Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 5168пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
72 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 688,50
STP80NF10FP Транзистор полевой N-канальный 100В 38А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 252,88
CSD16401Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 4100пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17312Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 5240пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDA38N30 Транзистор полевой N-канальный 300В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF5210LPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 2780пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF5210SPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 40А 3.8Вт, 0.06 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 2780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
13 640 шт
Цена от:
от 97,25
IRFP264PBF Транзистор полевой N-канальный 250В 38А 280Вт, 0.075 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPS38N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 38 А Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 540Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 320нКл Входная емкость: 7990пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFR3518PBF Транзистор полевой N-канальный 80В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3518TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS5C604NLT1G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 289 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 8900пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB45NF06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 38 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"