IRF6216TRPBF, Транзистор полевой P-канальный 150В 2.2A

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC

Транзистор полевой P-канальный 150В 2.2A

irf6216pbf pdf, 124,3 кБ

Код товара: 203720

Дата обновления: 26.04.2024 00:10

Цена от: 49,42 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF6216TRPBF , Транзистор полевой P-канальный 150В 2.2A в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SO-8
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

4000 шт
Вес брутто

0.13 г.
Напряжение исток-сток макс.

150В
Ток стока макс.

2.2A
Сопротивление открытого канала

240 мОм
Мощность макс.

2.5Вт
Тип транзистора

P-канал
Пороговое напряжение включения макс.

5В
Заряд затвора

49нКл
Входная емкость

1280пФ
Тип монтажа

Surface Mount

Описание IRF6216TRPBF

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	2,2 А
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2,5 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	5мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	18 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	33 ns
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	5
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Максимальное сопротивление сток-исток	240 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	150 В
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	33 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1280 пФ при -25 В
Тип канала	A, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.15

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRF6216PBF MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC

Сообщить о поступлении

INF

SO-8

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRF530STRRPBF IRF630STRLPBF →