Одиночные MOSFET транзисторы

₁₈

Ток стока макс.: 2.2A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (18)

FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 029 шт

Внешние склады:

19 174 шт

Цена от:

от 6,36₽

Акция

IRF6216TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

4 719 шт

Внешние склады:

4 085 шт

Цена от:

от 33,72₽

IRFBC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

4.4 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

639 шт

Внешние склады:

1 900 шт

Цена от:

от 50,76₽

Акция

SI2301BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

375пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 714 шт

Внешние склады:

6 000 шт

Аналоги:

734 894 шт

Цена от:

от 10,30₽

Акция

SI2337DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 158 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 48,07₽

FDMC2610 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-Power33 (3x3)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 256,31₽

NTGS3443T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

565пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

6 000 шт

Цена от:

от 13,36₽

NTR4171PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

15.6нКл

Входная емкость:

720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

12 000 шт

Цена от:

от 6,63₽

SI7431DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

174 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

135нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 376,48₽

FQP2N90 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 2.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

7.2 Ом

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6216PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 804 шт

Цена от:

от 33,72₽

IRFBC20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

4.4 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

4.4 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU214PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SI7818DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

135 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD2N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STP2N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU2N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"