IRF7410TRPBF, Транзистор полевой P-канальный 12В 16A

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

Транзистор полевой P-канальный 12В 16A

irf7410pbf pdf, 197,0 кБ

Код товара: 203806

Дата обновления: 19.04.2024 08:10

Цена от: 81,70 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF7410TRPBF , Транзистор полевой P-канальный 12В 16A в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SOIC8
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

4000 шт
Вес брутто

0.25 г.
Напряжение исток-сток макс.

12В
Ток стока макс.

16A
Сопротивление открытого канала

7 мОм
Мощность макс.

2.5Вт
Тип транзистора

P-канал
Особенности

Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.

900mВ
Заряд затвора

91нКл
Входная емкость

8676пФ
Тип монтажа

Surface Mount

Описание IRF7410TRPBF

P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	16 A
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2,5 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	5мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	13 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	271 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток	13 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	12 В
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	91 нКл при 4,5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	8676 pF @ -10 V
Тип канала	P
Максимальное напряжение затвор-исток	-8 В, +8 В
Вес, г	0.15

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRF7410PBF MOSFET P-CH Si 20V 16A 8-Pin SOIC Tube

Сообщить о поступлении

INF

SOIC8

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRF740STRLPBF IRF7413PBF →