8 800 1000 321 - контакт центр
  • IRF7465PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC

Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.9 А

Документация

DataSheet
Код товара: 203823
Дата обновления: 19.03.2019 23:30
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 119 шт: 36.369 руб.
от 12 шт: 37.922 руб.
200 шт.7 раб. дн.1 шт.12 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
8-SOIC(8-SO)
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.2 г
Напряжение исток-сток макс.
150V
Ток стока макс.
1.9A
Сопротивление открытого канала
280 mOhm
Мощность макс.
2.5W
Тип транзистора
N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.
5.5V
Заряд затвора
15nC
Входная емкость
330pF
Тип монтажа
Surface Mount

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
200 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
IRF7465TRPBF
INFSO817.8429817.2711518

Подробное описание

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм280
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Крутизна характеристики, S0.75
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе5.5

Поделиться:
сообщение об ошибке