Одиночные MOSFET транзисторы

28
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (28)
Акция
IRF644PBF IRF644PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 14А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
924 шт

Внешние склады:
1 209 шт
Цена от:
от 79,76
Акция
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 490 шт

Внешние склады:
4 300 шт
Цена от:
от 31,10
Акция
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
133 шт

Внешние склады:
1 500 шт
Цена от:
от 62,96
Акция
IRF9Z24STRLPBF IRF9Z24STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
146 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
900 шт
Цена от:
от 20,21
Акция
IRFI644GPBF IRFI644GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.9А 40Вт 0.28 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
7.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
200 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 122,23
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 107 шт

Внешние склады:
5 878 шт
Аналоги:
4 707 шт
Цена от:
от 19,18
IRFU9024PBF IRFU9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
I-Pak (TO-251AA)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
460 шт

Внешние склады:
975 шт
Аналоги:
1 453 шт
Цена от:
от 66,24
SPW16N50C3FKSA1 SPW16N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
560В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 303,64
STF18N60M2 STF18N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21.5нКл
Входная емкость:
791пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
160 шт

Внешние склады:
4 900 шт
Цена от:
от 50,10
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 080 шт
Цена от:
от 24,03
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
900 шт
Аналоги:
146 шт
Цена от:
от 107,79
IRFD9020PBF IRFD9020PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 90,31
IRFD9024PBF IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 137,40
IRFP22N60KPBF IRFP22N60KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22А 370Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
275 шт
Цена от:
от 358,65
IRFP244PBF IRFP244PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
350 шт
Цена от:
от 273,44
IRFR9020PBF IRFR9020PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 9.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 240 шт
Цена от:
от 164,06
IRFR9024PBF IRFR9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 707 шт
Аналоги:
6 985 шт
Цена от:
от 49,37
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
34Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 182,51
STB18N60M2 STB18N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21.5нКл
Входная емкость:
791пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 317,42
FQD12N20TM FQD12N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"