IRFB5620PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25А 144Вт
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
78,72 руб.
-
1+ 13+ 26+ 50+ 150+156,24 ₽ 144,54 ₽ 135,18 ₽ 127,62 ₽ 121,98 ₽Срок:В наличииНаличие:30Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 13+ 26+ 50+ 150+156,24 ₽ 144,54 ₽ 135,18 ₽ 127,62 ₽ 121,98 ₽Срок:В наличииНаличие:50Минимум:1Количество в заказ
-
6+ 25+ 49+ 200+230,34 ₽ 219,42 ₽ 215,76 ₽ 202,92 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 6Количество в заказ
-
87+ 127+ 254+ 1270+ 6349+97,86 ₽ 84,42 ₽ 82,26 ₽ 80,16 ₽ 78,72 ₽Срок:25 днейНаличие:17 189Минимум:Мин: 87Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRFB5620PBF
The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application.
• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI
| Структура | n-канал |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0725 ом при 15a, 10в |
| Вес, г | 2.5 |
