IRFB5620PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25А 144Вт
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
78,27 руб.
-
1+ 13+ 26+ 50+ 150+156,23 ₽ 144,50 ₽ 135,18 ₽ 127,59 ₽ 121,93 ₽Срок:В наличииНаличие:530Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 13+ 26+ 50+ 150+156,23 ₽ 144,50 ₽ 135,18 ₽ 127,59 ₽ 121,93 ₽Срок:В наличииНаличие:50Минимум:1Количество в заказ
-
6+ 22+ 45+ 100+258,34 ₽ 246,04 ₽ 241,93 ₽ 227,58 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 6Количество в заказ
-
92+ 133+ 266+ 1329+95,58 ₽ 82,43 ₽ 80,35 ₽ 78,27 ₽Срок:25 днейНаличие:3 520Минимум:Мин: 92Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRFB5620PBF
The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application.
• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI
| Структура | n-канал |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0725 ом при 15a, 10в |
| Вес, г | 2.5 |
