IRLL024NTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRLL024NTRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
22,75 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 97+ 193+ 386+ 771+34,12 ₽ 30,78 ₽ 28,33 ₽ 26,37 ₽ 24,67 ₽Срок:В наличииНаличие:845Минимум:9Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 97+ 193+ 386+ 771+34,12 ₽ 30,78 ₽ 28,33 ₽ 26,37 ₽ 24,67 ₽Срок:В наличииНаличие:57Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
190+ 610+29,03 ₽ 28,54 ₽Срок:7 днейНаличие:610Минимум:Мин: 190Количество в заказ
-
27+ 127+ 253+ 1000+45,81 ₽ 43,63 ₽ 42,90 ₽ 40,36 ₽Срок:7 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 27Количество в заказ
-
31+46,25 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 31Количество в заказ
-
38+ 183+ 367+ 1690+31,62 ₽ 30,12 ₽ 29,62 ₽ 27,86 ₽Срок:7 днейНаличие:1 690Минимум:Мин: 38Количество в заказ
-
316+ 458+ 919+ 4580+27,77 ₽ 23,95 ₽ 23,35 ₽ 22,75 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 316Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRLL024NTRPBF
The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Logic level
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4.4 A |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2.1 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 3.7мм |
| Высота | 1.739мм |
| Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.739мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.7мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 7,4 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 18 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 100 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Число контактов | 3+Tab |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 10,4 нКл при 5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 510 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
| Вес, г | 0.39 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRLL024NTRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара